半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究

摘要：

采用气态源分子束外延设备生长了GaAs/AIGaAs束缚态到连续态跃迁结构的太赫兹(THz)量子级联激光器(QCL)有源区结构,研究了半绝缘等离子体波导THz QCL的器件工艺,采用远红外傅里叶变换光谱仪以及探测器测量了器件的电光特性.器件激射频率为3.2 THz,10 K下的阈值电流密度为275 A/cm~2.

关键词：太赫兹、量子级联激光器、波导、器件工艺

所属期刊栏目：59

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：科技部科研项目2007CB310402;国家自然科学基金60721004;60606027;中国科学院方向性项目KGCX2-YW-231;中国科学院重大基金;中国科学院百人计划资助的课题

在线出版日期：2010-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2169-2172