应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x本征载流子浓度模型

摘要：

利用应变Si CMOS技术提高载流子迁移率是当前研究发展的重点,本征载流子浓度是应变Si材料的重要物理参数,也是决定应变Si器件电学特性的重要参量.本文基于K.P理论框架,从分析应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x材料能带结构出发,详细推导建立了300K时与Ge组分(x)相关的本征载流子浓度模型.该数据量化模型可为Si基应变器件物理的理解及器件的研究设计提供有价值的参考.

关键词：应变Si、有效态密度、本征载流子浓度

所属期刊栏目：59

分类号：O6(化学)

资助基金：国家部委51308040203;9140A08060407DZ0103;6139801

在线出版日期：2010-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2064-2067