互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

摘要：

给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件(CMOS器件)空间低剂量率辐射效应模型,相对线性响应预估模型,该模型在预估CMOS器件低剂量率辐射效应方面更接近实际试验结果,且不同剂量率辐射试验结果证实了所建模型的正确性.最后利用新建模型对处于空间低剂量率环境下CMOS器件的敏感参数进行了预估.

关键词：电离辐射、总剂量、低剂量率、预估方法

所属期刊栏目：59

分类号：O6(化学)

资助基金：国防预研项目311060403

在线出版日期：2010-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1985-1990