离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究

摘要：

离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复,其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅,常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效.本研究将测量波段扩展到红外区域(2-20μm),报道了利用红外椭偏光谱法测最经离子注入掺杂并高温退火的硅片掺杂层光学和电学性质的方法和结果.通过建立基于Drude自由载流子吸收的等效光学模型,得到了杂质激活后掺杂层的杂质浓度分布、电阻率和载流子迁移率等电学参数,以及掺杂层的红外光学常数色散关系,分析了这些参数随注入剂量的关系并对其物理机理给予了解释.研究表明,中远红外椭偏测量是表征退火硅片的有效方法,且测量波长越长,所能分辨的掺杂浓度越低.

关键词：红外椭偏光谱、离子注入、Dmde模型、色散关系

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60676058

在线出版日期：2010-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1632-1637