应变补偿层对量子点生长影响的理论研究

摘要：

量子点的光学特性与量子点的大小均匀性、密度、内部应变以及隔离层的厚度等有密切关系.文中从理论角度定量研究了GaN_XAs_(1-X)应变补偿层对InAs/GaAs量子点生长质量的改善作用,分析了应变补偿层对隔离层厚度减小的作用.讨论了应变补偿层的补偿位置和补偿层N组分X对量子点生长时局部应变和体系应变的补偿作用.分析了应变补偿层对体系应变的减少作用,并计算了相邻层量子点的垂直对准概率.研究结果对实验中应变补偿的优化和高质量量子点阵列的生长实现提供了理论依据.

关键词：应变补偿、量子点

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2009AA03Z405;国家自然科学基金60644004

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：765-770