具有部分超结的新型SiC SBD特性分析
提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(V_B)和比导通电阻(R_(on-sp)).与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2W为2μm,3μm,超结深度大于5μn,可以使R_(on-sp)降低量大于10%,而且保持V_B基本不变(降低量小于4%).
SiC肖特基二极管、superjunction、导通电阻、击穿电压
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O4(物理学)
国家部委预研项目51308030201;9140A08050509DZ0106
2010-04-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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566-570