ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的晶界电子结构

摘要：

测量了ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷在不同温度下的介电频谱,基于压敏陶瓷介电特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷电子松弛过程的理论,计算了ZnO的本征缺陷结构,并进一步求出了晶界的微观电参数和宏观单晶界击穿电压.单晶界击穿电压的理论值与实验测量值符合得很好,这表明本文建立的基于介电谱计算本征缺陷的方法是有效的.

关键词：ZnO压敏陶瓷、晶界电子结构、介电谱

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：西安工程大学博士科研启动基金BS0814;国家杰出青年科学基金50625721

在线出版日期：2010-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：560-565