基于类耿氏效应的低密度聚乙烯中空间电荷包行为的模拟仿真
低密度聚乙烯材料中的空间电荷包现象通常会引起严重电场畸变而影响其击穿特性.本文借鉴半导体中的耿氏效应的负微分迁移率机理来描述电荷包的形成机理,并结合载流子的注入条件及体内陷阱对电荷迁移的影响等因素,对文献中报道的两类外加场强不同且迁移趋势各异的空间电荷包行为进行了模拟仿真,模拟的电荷包大小随电场变化规律,电荷包迁移速率随时间变化规律等与相应实验结果符合.模拟结果表明,产生耿氏效应的负微分迁移率是造成电荷包非弥散传输的主要原因,其与材料电极注入情况及体内陷阱态的共同作用导致了空间电荷包行为迁移的多样性.
空间电荷包、耿氏效应、模拟仿真、负微分迁移率
59
O4(物理学)
国家自然科学基金重点项目50537040;国家自然科学基金50807040;上海市科委资助项目07DZ22302
2010-04-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
508-514