10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.083
静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟
针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微柬、重离子宽束实验结果比较一致,表明所建立的三维器件模型可以用来研究SRAM器件的单粒子翻转效应.
三维数值模拟、单粒子翻转、微束、宽束
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O4(物理学)
2010-03-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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