高迁移率聚合物薄膜晶体管

摘要：

以高掺杂Si单晶片作为栅电极,热生长SiO_2作为栅介质层,聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层,Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质表面改性,在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管.结果表明,通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能,器件的场效应迁移率高达0.02 cm~2,(Vs),开关电流比大于10~5.

关键词：聚合物薄膜晶体管、聚三己基噻吩、场效应迁移率、表面修饰

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：广东省自然科学基金8451064101000257

在线出版日期：2010-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8566-8570