利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0 min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5 min后出现了长平行四边形的条纹状,这是由于无极化的a面GaN表面极性各向异性,c向与m向上N原子悬挂键密度不同,同时稳定性不同,对OH~-离子的吸附能力不同造成的,其中沿c方向易于腐蚀.同时,a面GaN腐蚀后出现了六角突起.我们认为这与穿透位错有关,而其形貌则与GaN薄膜的位错局部极性有关.

关键词：a面GaN、堆垛层错、极性

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB6049;国家高技术研究发展计划863计划2006AA03A118;2006AA03A142;国家自然科学基金60721063;60676057;60731160628;60820106003;江苏省自然科学基金BK2008019

在线出版日期：2010-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8506-8510