10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.059
Ni掺杂ZnO薄膜的结构与光学特性研究
使用射频磁控溅射法成功制备了不同掺杂浓度(0-7at.%)的ZnO:Ni薄膜.X射线衍射的良θ-2θ和摇摆曲线扫描结果表明,5at.%Ni掺杂ZnO薄膜具有沿c轴方向最佳的择优取向生长特性,(002)衍射峰向大角度方向移动揭示了Ni杂质被掺人ZnO晶格中占据zn位.ZnO:Ni薄膜具有较好的可见光透明特性,拟合发现薄膜的光学带隙随Ni掺杂量的增加由3.272 eV线性降低到3.253 eV.未掺杂薄膜在550 nm处呈现出一个绿色发光峰,掺入Ni杂质后薄膜主要表现了以430 nm为中心的蓝色发光,分析认为它们分别源于薄膜中O空位和Zn填隙缺陷发光.
ZnO:Ni薄膜、结构特性、光学带隙、光致发光
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O4(物理学)
国家自然科学基金50802037;50872047;兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题MMM200807
2010-03-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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