穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

摘要：

研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN,n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触.有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.

关键词：GaN、紫外探测器、V形坑、反向漏电

所属期刊栏目：58

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2010-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7952-7957