应变Si_(1-x)Ge_x能带结构研究

摘要：

采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001),(101)和(111)面弛豫Si衬底上生长的应变Si_(1-x),Ge_x(x≤0.5)的能带结构模型,获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及禁带宽度随Ge组分(x)的函数变化关系,该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考.

关键词：应变Si_(1-x)Ge_x、K.P法、能带结构

所属期刊栏目：58

分类号：O6(化学)

资助基金：国家部委项目51308040203;9140A08060407DZ0103;6139801

在线出版日期：2010-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：7947-7951