有限温度下位错环的脱体现象

摘要：

在FCC单晶铜中构造了滑移面为(111),伯格矢量为6:”112”/6的圆形不完全位错环.采用分子动力学方法模拟了该位错环在0-350 K温度区间内的自收缩过程.模拟结果发现:零温度下,位错不能跨越Peierls-Nabarro势垒运动,迁移速度为0;50 K温度下,螺型和刃型位错具有基本相同的迁移速度;随温度增加,刃型位错具有较大迁移速度;温度较高时,位错核宽度进一步增加;小位错环周围的局部应力,引起4个脱体位错环;脱体位错环在原位错的应力作用下逐渐生长,原位错消失后,在自相互作用下收缩消失.这是与Frank-Read,L型、双交滑位错源(冷的,应力引起的)不同的新位错源机理(热激发机理);温度进一步提高时,新位错产生区域的局部应力梯度更大,脱体位错更早出现.

关键词：单晶铜、位错环、分子动力学、位错源

所属期刊栏目：58

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金10702010和10775018;中国工程物理研究院发展基金和实验室基金的课题

在线出版日期：2010-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：7934-7946