镧铱硅电子结构与成键机理的第一性原理研究

摘要：

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了镧铱硅(La-Ir-Si)体系四种异构体的电子结构与成键机理.通过对能带结构、态密度的系统分析,发现:La-Ir-Si体系的超导属性与该体系中过渡元素Ir-d态和Si-p态的p-d轨道耦合强度有关.为了定量描述p-d轨道耦合的强度,采用了分子中的原子方法,针对La-Ir-Si体系成键过程中的电荷迁移进行了定量的分析,结果表明,超导的转变温度与体系中Ir原子basin中的电荷量成近线性关系.

关键词：La-Jr-Si、电子结构、超导属性、第一原理

所属期刊栏目：58

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金新教师类

在线出版日期：2010-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：7826-7832