6H-SiC(000(1))表面graphene逐层生长的分子动力学研究

摘要：

利用经典分子动力学方法和模拟退火技术分析研究了6H-SiC(000(1))表面graphene的逐层生长过程及其形貌结构特点.研究表明,经过高温蒸发表面硅原子后,6H-SiC(0001)表面的碳原子能够通过自组织过程生成稳定的局部单原子层graphene结构.这种过程类似于6H-siC(000(1))表面graphene的形成,其生长和结构形貌演化主要取决于退火温度和表面碳原子的覆盖程度.研究发现,当退火温度高于1400K时,6H-SiC(000(1))表面碳原子能形成局部的单原子层graphene结构.这一转变温度与实验测量的转变温度(1080℃)基本相符,且低于6H-SiC:(000(1))表面的模拟碳化温度(T≈1450 K).随着表面碳原子覆盖度的增加,6H-SiC(000(1))表面将可逐渐生成单原子层和双原子层graphene结构.

关键词：graphene、碳化硅、分子动力学

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金;湘潭大学博士科研启动基金

在线出版日期：2010-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7815-7820