以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器

摘要：

提出了以弱p型(p--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算,研究了金属与p--GaN层的肖特基接触势垒高度、p--GaN层厚度等参数对器件性能的影响.研究结果表明,降低金属与p--GaN层的接触势垒高度、适当减小p--GaN层厚度能够实现有源层方向单一的内建电场,从而提高器件的量子效率.要制备出具有良好性能的p-n结构紫外探测器,必须减小p--GaN层厚度,降低金属与p--GaN层的接触势垒高度.

关键词：弱p型GaN、紫外探测器、量子效率

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60776047;教育部高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目708014

在线出版日期：2009-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7255-7260