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10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.111

Zn1-xMgxO薄膜的光致发光特性研究

引用
采用脉冲激光沉积方法在单晶Si(100)衬底上制备出c轴取向的Zn1-xMgxO单晶薄膜,通过荧光光谱仪研究了薄膜的光致发光特性.实验结果表明,Mg含量增加,Zn1-xMgxO单晶薄膜的紫外发光峰蓝移,发光峰强度减弱,缺陷发光强度增强.同时发现,由于Mg的掺杂,引入了一些束缚能较大的局域束缚态.对于氧气氛下制备的样品,实验发现紫外峰和绿光带发光峰同时增强,但是R值减小,紫外峰红移.对绿光发光机理研究发现,绿光发光带主要与锌空位、氧间隙(Oi)或锌位氧(OZn)等缺陷有关,它是由多个缺陷发光峰组成,各缺陷发光峰强度相对变化导致了绿光发光带的整体移动.

Zn1-xMgxO薄膜、光致发光、脉冲激光沉积

58

O4(物理学)

安徽省自然科学基金090414177

2009-10-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

5836-5841

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1000-3290

11-1958/O4

58

2009,58(8)

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