基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理

摘要：

采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2 V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.

关键词：GaN发光二极管、负电容、电导、老化机理

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2006AA03A175;福建省科技重大专项基金2006H0092;福建省自然科学基金2008J0030

在线出版日期：2009-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5700-5704