10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.086
离子注入Zn的Si(001)基片热氧化制备纳米ZnO团簇及其生长行为研究
采用离子注入技术将Zn离子注入Si(001)基片,并在大气环境下加热氧化制备了ZnO纳米团簇.利用电子探针、薄膜X射线衍射仪、原子力显微镜和透射电子显微镜,对注入和热氧化后的薄膜成分、表面形貌和微观结构进行表征,探讨了热氧化温度以及注入剂量对纳米ZnO团簇的成核过程及生长行为的影响.结果表明,Zn离子注入到Si基片表面后形成了Zn纳米团簇,热氧化过程中Zn离子向表面扩散,在表面SiO2非晶层和Si基片多晶区的界面处形成纳米团簇.热氧化温度是影响ZnO纳米团簇结晶质量的一个重要参数.随着热氧化温度的升高,金属Zn的衍射峰强度逐渐变弱并消失,而ZnO的(101)衍射峰强度逐渐增强.当热氧化温度高于800℃以后,ZnO与SiO2之间开始发生化学反应形成Zn2SiO4.
ZnO纳米团簇、离子注入、微观结构、形貌分析
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O4(物理学)
国家自然科学基金10605009,10774018;国家重点研究发展计划2007CB616902
2009-10-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
5693-5699