扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了扶手椅型石墨纳米带(具有锯齿边缘)的双空位缺陷效应.研究发现:双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性,但改变了费米面附近的能带结构.同时,双空位缺陷的取向对石墨纳米带的输运性质有很重要的影响.对于奇数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷使得石墨带导电性能减弱,而垂直双空位能基本保留原有的线性伏安特性,导电性能降低较少;对于偶数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷会使石墨带导电性能明显增强,而垂直双空位缺陷则具有完整石墨带的输运性质.

关键词：石墨纳米带、585双空位缺陷、电子结构、输运性质

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50504017;湖南省自然科学基金07JJ3102;中南大学理科发展基金08SDF02

在线出版日期：2009-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5640-5644