等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化

摘要：

以GaP为靶材、Ar为工作气体,采用射频磁控溅射法制备了厚层GaP膜.对沉积过程中的辉光放电等离子体进行了发射光谱诊断,发现只有ArⅠ发射谱线.研究了工艺参数对发射谱线强度的影响规律,并在此基础上通过同时改变射频功率、Ar气流量及工作气压,使ArⅠ发射谱线强度保持相同.发现通过增大射频功率、减小工作气压而保持ArⅠ发射谱线强度不变可以提高GaP膜的沉积速率,并使GaP膜的沉积工艺参数得到优化.在优化后的工艺参数下制备出了符合化学计量比、红外透过性能好的厚层GaP膜.

关键词：GaP薄膜、射频磁控溅射、等离子体发射光谱、红外透射

所属期刊栏目：58

分类号：O6(化学)

资助基金：航空科学基金2008ZE53043

在线出版日期：2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：5022-5028