应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

摘要：

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si 沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系. 分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大. 该模型为应变Si 器件阈值电压设计提供了重要参考.

关键词：应变硅、阈值电压、电势分布、反型层

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家部委预研项目51308040203;9140A08060407DZ0103;9140C0905040706

在线出版日期：2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4948-4952