10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.079
斜入射离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的分子动力学模拟
采用分子动力学(MD)模拟方法,从原子尺度上研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)薄膜过程中离子束入射角对薄膜结构的影响.重点讨论了不同的离子束入射角所对应的薄膜表面模型,平均密度和sp3键含量.结果表明,离子束斜入射加强了入射原子的水平动能,从而加强了原子水平迁移;Ar离子斜入射时C原子迁移率均比垂直入射大,薄膜密度和sp3键含量都比垂直入射小.不同的离子束入射角随着到达比和入射能的变化,对薄膜结构的影响不同.离子束斜入射时可以得到不同结构的膜.
类金刚石薄膜、入射角、离子束辅助沉积、分子动力学模拟
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O4(物理学)
内蒙古自治区教育厅科研项目NJ04062;内蒙古民族大学博士启动基金BS183
2009-08-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
4888-4894