掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对本征碳化硅纳米管和掺氮碳化硅纳米管的电子结构进行了计算.计算表明本征(8,0)碳化硅为直接带隙半导体,能带间隙为0.94 eV;掺氮浓度为1.56%和3.12%的碳化硅纳米管的能带间隙减小为0.83 eV和0.74 eV.从差分电荷密度可以看出,能带间隙的减小是氮硅键与碳硅键相比共价成键能力降低的结果.

关键词：碳化硅纳米管、掺氮、第一性原理、电子结构

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家部委预研项目51308030201

在线出版日期：2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4883-4887