椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

摘要：

采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明,沉积气压Pg=300 Pa时,β=0.81,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为.这表明微晶硅薄膜高速生长中还存在其他粗糙化增加的因素,此粗糙化增加的因素与阴影作用有关.

关键词：微晶硅薄膜、椭偏光谱法、生长机制、表面粗糙度

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB202601;河南省自然科学基金82300443203

在线出版日期：2009-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4123-4127