MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究

摘要：

研究了分子束外延技术生长的PbSe/PbSrSe多量子阱结构的中红外光致荧光现象.高分辨率X射线衍射(HRXRD)谱观察到了多量子阱所特有的多级卫星峰,表明量子阱界面陡峭.变温光致荧光谱测量显示量子阱结构对电子空穴有强的限制效应,在相同温度下,量子阱样品的荧光峰峰位相对PbSe体材料有一定的蓝移.发现量子阱样品的荧光强度同温度有关,温度从150 K上升到230 K时,荧光强度逐渐增大,温度继续升高,荧光强度缓慢下降,但在高于室温时,仍能观察到较强的荧光发射,这说明该量子阱结构材料具有应用于室温工作的中红外光电子器件的前景.

关键词：PbSe/PbSrSe多层量子阱(MQWs)、光致中红外荧光、高分辨X射线衍射(HRXRD)

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10434090;教育部高等学校博士学科点专项科研基金20060335035

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3560-3564