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10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.108

动力学研究AlN/α-Al2O3(0001)薄膜生长初期的吸附与扩散

引用
采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,计算了300-800℃下AlN吸附过程与系统能量、动力学轨迹以及扩散系数.研究表明,吸附过程由物理吸附、化学吸附和表面稳定态三个阶段组成,在吸附成键过程中,温度越高,粒子平均表面扩散能力增强.N原子的扩散系数大于Al原子的扩散系数,尤其是在物理吸附阶段.在较高温度条件下(大于700℃),N的解吸附作用明显增强,不利于AlN的稳定吸附生长,500-700℃之间的温度有利于AlN在α-Al2O3(0001)表面的稳定吸附生长.

α-Al2O3(0001)表面、扩散、吸附生长、从头计算分子动力学

58

O4(物理学)

国家重点基础研究发展计划973计划61363;四川省青年科技基金07ZQ026-021

2009-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

3553-3559

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

58

2009,58(5)

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