铁磁/半导体/铁磁结构的双量子环自旋输运的特性

摘要：

研究了与铁磁/半导体/铁磁结构相关的双量子环自旋输运的规律,研究结果表明:总磁通为零条件下,铁磁电极磁化方向反平行时,双量子环与单量子环相比提高了自旋电子透射概率的平均值.铁磁电极磁化方向平行时,双量子环对提高自旋向下电子平均透射概率的效果更明显;双量子环受到Rashba自旋轨道耦合作用影响时,自旋电子的平均透射概率明显高于单量子环,即使再加上外加磁场的影响,透射概率较高这一特征依然存在;双量子环所含的δ势垒具有阻碍自旋电子输运的作用,随δ势垒强度Z的增大透射概率将会单调、非线性地减小.

关键词：双量子环、Rashba自旋轨道耦合、透射概率、δ势垒

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：河北省教育厅自然科学研究指导项目Z2008103

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：3448-3455