Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响

摘要：

以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.

关键词：高介电常数、MIM电容、HfO2薄膜、电极

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金90607023

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：3433-3436