InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

摘要：

分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-V曲线特性模拟中发现,在量子点理论模型的基础上,只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应,才能得到和实验相接近的I-V曲线,揭示着在InGaN/GaN 多量子阱发光二极管电输运特性中,载流子的非平衡量子传输效应扮演重要角色.

关键词：InGaN/GaN、发光二极管、数值模拟、量子点模型

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10474020;上海市基础研究重大项目06dj14008

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3421-3426