厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

摘要：

研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm－2和6.3×1010cm－2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm－3和1.2×1018cm－3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.

关键词：氮化铟、位错、载流子起源、局域态

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB6049;国家高技术研究发展计划863计划2006AA03A103;2006AA03A118;国家自然科学基金60721063;60731160628;南京大学扬州光电研究院研发基金2008003;2008007;2008008

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3416-3420