p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg＼Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si＼O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.

关键词：Mg、Zn、Si、O和Mn共掺GaN、第一性原理、居里温度(TC)、磁学性质

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50602018;广东省自然科学基金06025083;广东省科技攻关计划2006A10802001;广州市科技攻关重大项目2005Z12D0071;粤港关键领域重点突破项目207A010501008

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：3324-3330