体材料结晶能力的理论预测

摘要：

引入评价晶体材料缺陷的残缺度及描述晶面表面势场的结晶势两个概念,针对Ni,Cu,Al,Ar单质在不同温度条件下的再结晶过程进行了大量的分子动力学模拟,发现残缺度随结晶势的增大而单调地减小,即结晶势越大则形成单晶体能力越强.由于结晶势能够唯一地确定结晶能力并且其计算简单,因此可从理论上快速方便地预测材料形成单晶体的能力.

关键词：单晶、结晶、分子动力学、材料设计

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10574030;上海市重点学科建设项目B107

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：3293-3301