外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

摘要：

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数An0和吸收系数B0n(n=1-5).研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律. 结果表明,随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道. 因而在外场作用下分子易于激发.

关键词：SiO2、激发态、外电场

所属期刊栏目：58

分类号：O56(分子物理学、原子物理学)

资助基金：河南省教育厅基础研究项目2008A140006;国家自然科学基金10774039;河南省自然科学基金072300410130

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3058-3063