亚毫安阈值的1.3 μm垂直腔面发射激光器

摘要：

设计并研制了室温连续工作的单模1.3 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51 mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29 W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成1.3 μm VCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.

关键词：垂直腔面发射激光器、晶片直接键合、应变补偿多量子阱

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2003CB314903

在线出版日期：2009-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1954-1958