霍尔推进器中振荡鞘层对电子与壁面碰撞频率的影响研究

摘要：

利用二维粒子模拟方法研究振荡鞘层对近壁电导的影响.研究结果表明,当二次电子发射系数大于1时,鞘层处于振荡状态.在振荡鞘层状态下,电子与壁面的碰撞通量沿平行与壁面方向剧烈的周期性振荡,振荡的波长为电子静电波波长量级,电子与壁面的碰撞频率高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率1-2个数量级,此时的碰撞频率对通道中电流的贡献不可忽略.振荡鞘层相对与经典鞘层增大了电子与壁面的碰撞频率,但是振荡鞘层的存在,仍然会使一部分慢电子无法穿越鞘层的势垒而打到壁面.

关键词：霍尔推进器、振荡鞘层、二次电子

所属期刊栏目：58

分类号：O53(等离子体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60671012;长江学者和创新团队发展计划PCSIRTIRT0520

在线出版日期：2009-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1844-1848