10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.108
高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究
采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明:能反映材料晶化程度的I[SiH*]/I[Hβ*] 比值在沉积时间为100 s之内有下降的趋势,且反应气体总流量Tfl越小下降趋势越明显,这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致;沉积5 min时I[Hβ*]/I[Hα*]的强度比值表明氢等离子体中的电子温度随Tfl的增加先减小后增加,相对应的红外吸收谱(FTIR)表明材料的微结构因子R先减小后增加,即氢等离子体的电子温度变化对材料质量有较大的影响.
高速沉积、微晶硅薄膜、电子温度
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O4(物理学)
国家重点基础研究发展规划973计划2006CB202602;2006CB202603;国家自然科学基金60506003;国家科技计划配套项目07QTPTJC29500
2009-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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