Mn/PbTe(111)界面行为的光电子能谱研究

摘要：

利用X光电子能谱(XPS)对Mn在PbTe(111)表面上沉积生长的界面性质进行了研究.研究表明Mn的沉积使衬底发生了原子尺度上的突变及金属/半导体界面的形成.从X光电子能谱的芯态能级峰来看,随着Mn膜的沉积Pb 4f峰的低结合能端出现了金属Pb的特征新峰,而Te 3d峰的高结合能端却出现了MnTe特征新峰.且随着Mn膜厚度的增加这些新峰变得越来越明显,当Mn膜厚度超过7 ML(monolayer)(即超过Pb,Te的探测深度)时,衬底信号峰完全消失,只剩下金属Pb和MnTe的芯态能级峰.Mn膜厚度继续增加时,金属Pb芯态能级峰的峰强在误差范围内基本保持不变,而具有MnTe特性的Te的芯态能级峰峰强呈明显下降趋势,当膜厚为102 ML时,几乎已经探测不到Te的芯态峰,而金属Pb的芯态峰却仍然较强.由此可以推测随着金属Mn膜的沉积,衬底原子Pb和Te均向金属层发生了不同程度的偏析.偏析的Te以MnTe化合物的形式被束缚在Mn金属生长层中,而偏析的Pb则以金属Pb的形式漂浮在Mn生长层的最表面.

关键词：PbTe半导体、界面形成、光电子能谱、偏析

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10434090;10574108;10774129

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1310-1315