硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响

摘要：

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究.测试结果表明:单室沉积p层后的硼降低了微晶i层材料的暗电导,增加了材料的光敏性;由于硼对i层污染程度的不同,使得材料的激活能发生了变化;腔室中残余的硼也导致微晶硅薄膜的结晶状况恶化,同时弱化了材料的(220)择优取向.而在较高功率和较强氢稀释下制备的晶化率较高,(220)晶向明显择优的材料受硼污染影响相对减小.

关键词：单室、甚高频等离子体增强化学气相沉积、微晶硅、硼

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2007AA05Z436;天津科技支撑项目08ZCKFGX03500;国家重点基础研究发展规划973计划2006CB202602;2006CB202603;国家自然科学基金60506003;南开大学博士启动基金J02031;科技部国际合作重点项目2006DFA62390;教育部新世纪人才计划NCET-05-0227

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1293-1297