InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射

摘要：

利用325 nm紫外光激发,对不同组分的InxGa1-xN薄膜的喇曼散射谱进行了研究.在光子能量大于带隙的情况下,观察到显著增强的二阶A1(LO)声子散射峰.二阶LO声子峰都从一阶LO声子的二倍处向高能方向移动,移动量随样品In组分的增加而增大,认为是带内Fr(o)hlich相互作用决定的多共振效应引起的.分析了一阶LO声子散射频率和峰型与In组分的关系.在喇曼谱中观察到样品存在相分离现象,并与X射线衍射的实验结果进行了对比.此外,还观察到位于1310 cm-1附近的InxGa1-xN的E2声子组合模.

关键词：Inx Ga1-xN合金、紫外共振喇曼散射、二阶声子、相分离

所属期刊栏目：58

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金10474078;陕西省自然科学基金2004A01

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1252-1256