10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.085
粗糙界面对Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值影响的理论分析
以Bi2Te3/PbTe超晶格薄膜为例,分析电子在Bi2Te3量子阱中的输运过程,综合了薄膜的经典散射效应和理想量子效应,并以此混合效应为基础,在PbTe障碍层厚度一定时,模拟计算了两种混合效应中量子效应占不同比例时,Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值的变化.在镜面反射占混合效应的0 3时,得到的热电优值与当前报道的量子阱超晶格的实验值接近.
超晶格、粗糙界面、热电优值
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O6(化学)
2009-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1212-1218