60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

摘要：

采用60 Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导下降越明显,同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大,而阈值电压变化很小. 对辐射前后器件的沟道串联电阻和阈值电压变化的分析表明,辐射感生表面态负电荷的产生是造成AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因之一.

关键词：AlGaN/GaNHEMT器件、γ射线辐射、表面态

所属期刊栏目：58

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金重点项目60736033;预先研究项目51311050112;51308030102;51308040301

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1161-1165