10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.094
引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究
利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱特性,结果表明通过引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层缓解了量子阱有源区中的应力,改善了多量子阱表面形貌,减少了V型缺陷密度,而且提高了多量子阱的光致发光强度,从而也改进了LED的发光效率.
InGaN/GaN多量子阱、原子力显微镜、X射线双晶衍射、光致发光
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O4(物理学)
北京市教委资助项目KM2008l0005002;北京市属市管高等学校人才强教计划PHRIHLB项目资助的课题
2009-04-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
590-595