Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

摘要：

采用原子层淀积(ALD)实现了10 nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势.通过分析MOS-HEMT器件在30-180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引入AlGaN界面的表面态是提高特性的重要原因.

关键词：原子层淀积、AlGaN/GaN、MOS-HEMT器件、温度特性

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60736033;60676048

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：536-540