SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

摘要：

SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压.

关键词：碳化硅、肖特基接触、阈值电压

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60476007;国家重点基础研究发展规划973计划2002CB311904

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：494-497