GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

摘要：

研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2 ML GaSb/1ML GaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010 cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5 ML,量子点的发光波长红移了约25 nm,室温下PL光谱波长接近1300 nm.

关键词：自组装量子点、分子束外延、Ⅲ-V族化合物半导体

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：471-476