10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.072
有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响
用平面波展开法对GaN/AlxGa1-xN球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨论.计算了量子点内外有效质量差异对杂质态能级和结合能的修正,结果表明对于Al组分较高的GaN/AlxGa1-xN球形量子点,电子有效质量差异对杂质能级和结合能的修正不能忽略.考虑电子有效质量差异后,进一步具体计算了杂质结合能随量子点半径、杂质位置以及外电场的变化规律.
球形量子点、平面波展开法、有效质量
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O4(物理学)
教育部留学回国人员科研启动基金
2009-04-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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465-470