100 keV质子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池光电效应的影响

摘要：

利用空间环境模拟设备,用固定能量为100 keV、注量为1×109-3×1012cm-2的质子,对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行了辐照试验.利用伏安(I-V)特性、光谱响应和光致发光(PL)光谱测试,研究分析了电池的光电效应.试验表明,电池的各种电性能参数如短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、最大输出功率(Pm)和填充因子(FF)都因质子辐照注量的增加,出现不同程度的衰降.在质子能量相同条件下,电池电性能衰降均随照射注量增大而增大.质子辐照对材料的光电性能具有破坏性的影响.这种破坏性是由于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加所致.

关键词：GaAs/Ge太阳电池、质子辐照、光电效应

所属期刊栏目：58

分类号：O3(力学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划G200551343

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：404-410